Grafit z powłoką TaC powstaje poprzez pokrycie powierzchni podłoża grafitowego o wysokiej czystości cienką warstwą węglika tantalu w opatentowanym procesie chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD).
Węglik tantalu (TaC) to związek składający się z tantalu i węgla. Ma metaliczną przewodność elektryczną i wyjątkowo wysoką temperaturę topnienia, co czyni go ogniotrwałym materiałem ceramicznym znanym ze swojej wytrzymałości, twardości oraz odporności na ciepło i zużycie. Temperatura topnienia węglików tantalu osiąga szczyt przy około 3880°C, w zależności od czystości i ma jedną z najwyższych temperatur topnienia wśród związków binarnych. To sprawia, że jest to atrakcyjna alternatywa, gdy wymagania dotyczące wyższych temperatur przekraczają możliwości wydajności stosowane w procesach epitaksjalnych złożonych półprzewodników, takich jak MOCVD i LPE.
Dane materiałowe powłoki Semicorex TaC
Projektowanie |
Parametry |
Gęstość |
14,3 (gm/cm3) |
Emisyjność |
0.3 |
CTE (×10-6/K) |
6.3 |
Twardość (HK) |
2000 |
Rezystancja (om-cm) |
1×10-5 |
Stabilność termiczna |
<2500 ℃ |
Zmiana wymiaru grafitu |
-10~-20um (wartość referencyjna) |
Grubość powłoki |
Typowa wartość ≥20um (35um±10um) |
|
|
Powyższe wartości są typowymi wartościami |
|
Taca waflowa z powłoką Semicorex TaC musi zostać zaprojektowana tak, aby wytrzymać wyzwania ekstremalne warunki panujące w komorze reakcyjnej, w tym wysokie temperatury i środowiska reaktywne chemicznie.**
Czytaj więcejWyślij zapytaniePłyta Semicorex TaC Coating Plate wyróżnia się jako wysokowydajny komponent do wymagających procesów wzrostu epitaksjalnego i innych środowisk produkcji półprzewodników. Dzięki szeregowi doskonałych właściwości może ostatecznie zwiększyć produktywność i opłacalność zaawansowanych procesów wytwarzania półprzewodników.**
Czytaj więcejWyślij zapytanieSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon to niezastąpiony atut w świecie epitaksji, zapewniający solidne rozwiązanie wyzwań stawianych przez wysokie temperatury, reaktywne gazy i rygorystyczne wymagania dotyczące czystości.**
Czytaj więcejWyślij zapytaniePowłoka Semicorex CVD TaC Coating Cover stała się kluczową technologią wspomagającą w wymagających środowiskach reaktorów epitaksji, charakteryzujących się wysokimi temperaturami, reaktywnymi gazami i rygorystycznymi wymogami czystości, co wymaga wytrzymałych materiałów, aby zapewnić stały wzrost kryształów i zapobiec niepożądanym reakcjom.**
Czytaj więcejWyślij zapytaniePierścień prowadzący powłokę Semicorex TaC pełni kluczową rolę w sprzęcie do chemicznego osadzania metaloorganicznego z fazy gazowej (MOCVD), zapewniając precyzyjne i stabilne dostarczanie gazów prekursorowych podczas procesu wzrostu epitaksjalnego. Pierścień prowadzący powłoki TaC ma szereg właściwości, dzięki którym idealnie sprawdza się w ekstremalnych warunkach panujących w komorze reaktora MOCVD.**
Czytaj więcejWyślij zapytanieSemicorex TaC Coating Wafer Chuck to szczyt innowacji w procesie epitaksji półprzewodników, będącym krytycznym etapem produkcji półprzewodników. Dzięki naszemu zaangażowaniu w dostarczanie produktów najwyższej jakości po konkurencyjnych cenach, jesteśmy gotowi być Twoim długoterminowym partnerem w Chinach.*
Czytaj więcejWyślij zapytanie